Mit einem AFM untersuchen Forschende die Reibung auf der Nanometer- skala auf einer Monolage Molybdändisulfid auf einer Goldoberfläche. (Bild: Departement Physik, Universität Basel) Reibung hängt von Geschwindigkeit ab Auf der Nanometerskala hängen Reibungskräfte von der Ge- schwindigkeit ab, wie Forschende von der Universität Basel ge- zeigt haben. Die Forschenden haben dazu die Spitze eines Ras- terkraftmikroskops (AFM für Atomic Force Microscope) über eine Monolage Molybdändisulfid auf einer Goldoberfläche bewegt. Sie stellten fest, dass in einem breiten Geschwindigkeitsbereich von 10 bis 100 Nanometern pro Sekunde, die Reibung zwischen der AFM-Spitze und der Oberfläche abnimmt. Diese Ergebnisse weichen vom dem klassischen Coulomb-Gesetz ab, das die Un- abhängigkeit der Reibung von der Geschwindigkeit beschreibt. Originalpublikation: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.133.136201 2D Schicht aus Phosphor Pentameren: Auch auf Metall mit Halbleitereigenschaften Forschende der Universität Basel haben auf einer Silberoberflä- che Fünferringe von Phosphoratomen (Phosphor-Pentamere (Cyclo-P5)) synthetisiert und ihre elektronischen Eigenschaften erstmals mithilfe kombinierter Rasterkraft- und Rastertunnel- spektroskopie untersucht. Sie stellten dabei fest, dass die ato- mare Phosphor-Pentamerschicht ihre Halbleitereigenschaften beibehält und sich an der Grenzfläche zur Silberoberfläche eine spezielle elektronische Schnittstelle ausbildet (p-Typ-Halbleiter- Metall-Schottky-Übergang). Damit erfüllen die Phosphor-Penta- mere auf der Silberoberfläche eine Grundvoraussetzung für Anwendungen in Feldeffekttransistoren, Dioden oder Solarzel- len, wie die Forschenden kürzlich beschrieben. Originalpublikation: https://www.nature.com/articles/s41467 024 50862 4 SNI Meldung: https://bit.ly/4jAWwRt Wenn sich durch Selbstorganisation Fünferringe von Phosphoratomen (Phosphor-Pentamere) auf einer Silberoberfläche bilden, behält die zweidi- mensionale Phosphorschicht ihre Halbleitereigenschaften bei. An der Grenz- fläche zur Silberoberfläche bildet sich eine spezielle Schnittstelle (p-Typ- Halbleiter-Metall-Schottky-Übergang). (Bild: R. Pawlak, Departement Physik, Universität Basel) Die Forschenden haben den neu entwickelten Femtosekundenlaser im Rah- men des Nano-Argovia-Projekts NanoFemto Tweezer eingesetzt, um optische Pinzetten zu entwickeln. Neuer Femtosekundenlaser Forschende aus dem SNI-Netzwerk haben Alexandrit-Ultrakurz- zeitlaser produziert, die mit neu entwickelten roten Laserdio- den bei 638 nm gepumpt werden und für verschiedene High- Tech-Anwendungen geeignet sind. Die Kombination aus direk- ten Diodenpumpen und den extrem kurzen Lichtpulsen (44 und 95 Femtosekunden) macht diese Laser besonders effizient, mit hoher Spitzenleistung und vielseitig einsetzbar für moderne Anwendungen in Wissenschaft und Technik. Originalpublikation: https://doi.org/10.1364/OE.542834 31 SNI-Jahresbericht 2024