Reibung hängt von Geschwindigkeit ab 2D­Schicht aus Phosphor­Pentameren: Auch auf Metall mit Auf der Nanometerskala hängen Reibungskräfte von der Ge- Halbleitereigenschaften schwindigkeit ab, wie Forschende von der Universität Basel ge- Forschende der Universität Basel haben auf einer Silberoberflä- zeigt haben. Die Forschenden haben dazu die Spitze eines Ras- che Fünferringe von Phosphoratomen (Phosphor-Pentamere terkraftmikroskops (AFM für Atomic Force Microscope) über eine (Cyclo-P5)) synthetisiert und ihre elektronischen Eigenschaften Monolage Molybdändisulfid auf einer Goldoberfläche bewegt. erstmals mithilfe kombinierter Rasterkraft- und Rastertunnel- Sie stellten fest, dass in einem breiten Geschwindigkeitsbereich spektroskopie untersucht. Sie stellten dabei fest, dass die ato- von 10 bis 100 Nanometern pro Sekunde, die Reibung zwischen mare Phosphor-Pentamerschicht ihre Halbleitereigenschaften der AFM-Spitze und der Oberfläche abnimmt. Diese Ergebnisse beibehält und sich an der Grenzfläche zur Silberoberfläche eine weichen vom dem klassischen Coulomb-Gesetz ab, das die Un- spezielle elektronische Schnittstelle ausbildet (p-Typ-Halbleiter- abhängigkeit der Reibung von der Geschwindigkeit beschreibt. Metall-Schottky-Übergang). Damit erfüllen die Phosphor-Penta- Originalpublikation: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.133.136201 mere auf der Silberoberfläche eine Grundvoraussetzung für Anwendungen in Feldeffekttransistoren, Dioden oder Solarzel- len, wie die Forschenden kürzlich beschrieben. Originalpublikation: https://www.nature.com/articles/s41467­024­50862­4 SNI­Meldung: https://bit.ly/4jAWwRt Mit einem AFM untersuchen Forschende die Reibung auf der Nanometer- skala auf einer Monolage Molybdändisulfid auf einer Goldoberfläche. (Bild: Departement Physik, Universität Basel) Neuer Femtosekundenlaser Forschende aus dem SNI-Netzwerk haben Alexandrit-Ultrakurz- Wenn sich durch Selbstorganisation Fünferringe von Phosphoratomen zeitlaser produziert, die mit neu entwickelten roten Laserdio- (Phosphor-Pentamere) auf einer Silberoberfläche bilden, behält die zweidi- mensionale Phosphorschicht ihre Halbleitereigenschaften bei. An der Grenz- den bei 638 nm gepumpt werden und für verschiedene High- fläche zur Silberoberfläche bildet sich eine spezielle Schnittstelle (p-Typ- Tech-Anwendungen geeignet sind. Die Kombination aus direk- Halbleiter-Metall-Schottky-Übergang). (Bild: R. Pawlak, Departement Physik, ten Diodenpumpen und den extrem kurzen Lichtpulsen (44 und Universität Basel) 95 Femtosekunden) macht diese Laser besonders efÏzient, mit hoher Spitzenleistung und vielseitig einsetzbar für moderne Anwendungen in Wissenschaft und Technik. Originalpublikation: https://doi.org/10.1364/OE.542834 Die Forschenden haben den neu entwickelten Femtosekundenlaser im Rah- men des Nano-Argovia-Projekts NanoFemto Tweezer eingesetzt, um optische Pinzetten zu entwickeln. SNI-Jahresbericht 2024 31